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IT之家 3 月 13 日消息,据韩媒 Business Korea 昨天报道,三星电子计划在下一代 HBM 芯片中应用 2nm 制程工艺,在提升技术竞争力的同时紧密结合内存制造、半导体代工能力。

行业人士透露,三星正在为第七代 HBM(HBM4E)的 base die 评估 2nm 制程工艺。
元股证券从原理层面讲,HBM 由 core die 和 base die 组成,前者是垂直堆叠的 DRAM,后者则是起控制器作用。在 HBM3E 之前,base die 只负责较为简单的控制功能,但从 HBM4 时代开始,恒信证券,恒信证券配资,香港恒信证券公司它需要直接处理部分计算任务,逻辑电路功能得到加强,重要性显著提升。

为了提升 HBM4 的性能,三星电子已经找到三星晶圆代工部门生产 4nm 工艺 base die,并结合了最先进的 1c DRAM(第六代 10nm 工艺),成功领先采用台积电 12nm 工艺的 SK 海力士。
半导体行业预计融资融券股票配资入口,从 HBM4E 开始,面向客户定制的 HBM 芯片将正式出现,其中三星计划年中发布标准版 HBM4E,下半年则根据客户安排为定制产品进行首次 tape-in(IT之家注:流片)。
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